TSMC comença la construcció fabril de 3 milions



TSMC has been very aggressive with its approach to silicon manufacturing, with more investments into its R&D that now match or beat the capex investments of Intel. That indicates a strong demand for new technologies and TSMC's strong will not drop out of the never-ending race for more performance and smaller node sizes.

Segons les fonts publicades a DigiTimes, TSMC ha adquirit fins a 30 hectàrees de terreny al parc científic sud de Taiwan per començar la construcció de les seves fabs que suposadament començaran a fabricar un node de 3 nm de gran volum el 2023. Construcció de 3 nm Les instal·lacions de fabricació començaran el 2020, quan TSMC establirà les bases de la nova fabrica. Es preveu que el node semiconductor de 3 nm sigui el tercer intent de TSMC a la litografia EUV, just després dels nodes de 7 nm + i 5 nm que també es basen en la tecnologia EUV.
Source: DigiTimes