sk hynix comença el primer 4d nand de 128 capes del món que produeix en massa tecnologia de poder - Sk

SK Hynix comença el primer NAND 4D de 128 capes del món que produeix en massa



SK Hynix Inc. announced today that it has developed and starts mass-producing the world's first 128-Layer 1 Tb (Terabit) TLC (Triple-Level Cell) 4D NAND Flash, only eight months after the Company announced the 96-Layer 4D NAND Flash last year.

El xip NAND de 128 capes 1 Tb de 1 capa ofereix l’empilament vertical més alt de la indústria amb més de 360 ​​mil milions de cel·les NAND, cadascuna de les quals emmagatzema 3 bits, per un xip. Per aconseguir-ho, SK Hynix va aplicar tecnologies innovadores, com ara 'tecnologia de gravat vertical ultra homogènia', 'tecnologia de formació de cèl·lules de pel·lícula fina de gran capa d'alta fiabilitat', i disseny de circuits ultra-ràpids de baixa potència, al seu propi 4D Tecnologia NAND. El nou producte proporciona la màxima densitat de la indústria d’1 Tb per a TLC NAND Flash. Algunes companyies, incloses SK Hynix, han desenvolupat productes NAND de 1 Tb QLC (Quad-Level Cell), però SK Hynix és la primera en comercialitzar el NAND Flash de 1 Tb TLC. El TLC representa més del 85% del mercat NAND Flash amb un rendiment i fiabilitat excel·lents.

La petita mida del xip, el major avantatge del 4D NAND de la companyia, va permetre a SK Hynix realitzar una memòria flash ultra-alta densitat NAND. La companyia va anunciar l'innovador 4D NAND a l'octubre de 2018, que va combinar el disseny 3D CTF (Charge Trap Flash) amb la tecnologia PUC (Peri. Under Cell).

Amb la mateixa plataforma 4D i l’optimització de processos, SK Hynix va ser capaç de reduir el nombre total de processos de fabricació en un 5% mentre apilava 32 capes més al NAND de 96 capes existent. Com a resultat, el cost d'inversió per a la transició de 96 capes a 128 de capes NAND s'ha reduït un 60% en comparació amb la migració tecnològica anterior, augmentant significativament l'eficiència de la inversió.

El NAND de 128 capes 1 Tb 4D augmenta la productivitat de bit per oblea en un 40% en comparació amb la ND 4D de 96 capes de la companyia.

SK Hynix començarà a enviar el flaix NAND de 128 capes 4D NAND a partir de la segona meitat d'aquest any, mentre continuarà llançant diverses solucions.

Amb la seva arquitectura de quatre plans en un sol xip, aquest producte va assolir una velocitat de transferència de dades de 1.400 Mbps (megabits / sec) a 1,2 V, que permet solucions mòbils d’alt rendiment i baix consum i SSD empresarial.

SK Hynix té previst desenvolupar el producte UFS 3.1 de nova generació durant el primer semestre de l'any vinent per als principals clients de telèfons intel·ligents. Amb Flash NAND de 1 Tb de 128 capes, el nombre de xips NAND necessaris per a un producte de 1 TB (Terabyte), actualment la capacitat més gran per a un telèfon intel·ligent, es reduirà a la meitat, enfront dels 512 Gb NAND; proporcionarà als clients una solució mòbil amb un consum d’energia un 20% menys en un paquet d’1 mm.

La companyia també té la intenció de començar la producció massiva d’un client SSD de 2 TB amb un controlador intern i programari durant el primer semestre de l’any vinent. Els SSD de 16 TB i 32TB de memòria no volàtil (ExpressMD) (Express NVMe) per a centres de dades en núvol també es publicaran l'any vinent.

'SK Hynix ha assegurat la competitivitat fonamental del seu negoci NAND amb aquest 128-Layers 4D NAND', va dir el vicepresident executiu Jong Hoon Oh, responsable de vendes i màrqueting global. 'Amb aquest producte, amb la millor densitat i apilament de la indústria, proporcionarem als clients diverses solucions en el moment adequat'.

SK Hynix is developing the next-generation 176-Layer 4D NAND Flash, and will continue to strengthen the competitiveness of its NAND business through technological advantages.