rambus parla hbm3, ddr5 en reunió d'inversors | tecnologia de poder - Rambus

Rambus Talks HBM3, DDR5 a la reunió d’inversors



Rambus, a company that has veered around the line of being an innovative company and a patent troll, has shed some more light on what can be expected from HBM3 memory (when it's finally available). In an investor meeting, representatives from the company shared details regarding HBM3's improvements over HBM2. Details are still scarce, but at least we know Rambus' expectations for the technology: double the memory bandwidth per stack when compared to HBM2 (4000 MB/s), and a more complex design, which leaves behind the 2.5D design due to increased height of the HBM3 memory stacks. An interesting thing to note is that Rambus is counting on HBM3 to be produced on 7 nm technologies. Considering the overall semiconductor manufacturing calendar for the 7 nm process, this should place HBM3 production in 2019, at the earliest.

També s'espera que HBM3 porti un consum d'energia molt inferior en comparació amb HBM2, a més d'augmentar la densitat de memòria i l'ample de banda. No obstant això, les 'arquitectures de disseny complex' de les diapositives de Rambus haurien de fer una pausa als lectors. La producció de HBM2 ha tingut alguns problemes aparents per assolir els nivells de demanda, amb els rendiments més baixos dels previstos com a culpable més probable. Conèixer el problema que AMD ha tingut a l’empaquetar amb èxit la memòria HBM2 amb l’interposidor de silici i les seves pròpies GPU, una implementació encara més complexa de la memòria HBM a HBM3 podria provocar alguns problemes més en aquesta zona, potser no només per a AMD, sinó per a qualsevol altres usuaris de la tecnologia. A continuació, esperem que les molèsties d’AMD es deguessin només als problemes únics del costat dels seus socis de packaging, i que no suposi cap problema per a la pròpia implementació d’HBM. Altres detalls que van aparèixer a la reunió d’inversors de Rambus són la memòria DDR5. Rambus diu que aquests també es construiran en el procés de fabricació de 7 nm, que es veu reforçat per les afirmacions de Micron que les noves especificacions de memòria estarien a punt per a la seva producció el 2020. Amb un volum més gran que calgui per a la producció de DDR5 que HBM3, té sentit que aquesta última veuria la producció i venda als clients lleugerament abans de DDR5, per provar els nous processos de fabricació de 7 nm en un producte de marge inferior i un volum més baix, assegurant que els rendiments de DDR5 estiguessin dins de taxes adequades.
Source: Computerbase