Memòria Flash NAND en 3D de 128 capes de Micron Tapes



Micron Technology has taped out its 4th generation 3D NAND flash memory with 128 layers. This paves the way for mass production and product implementations in 2020. The 4th gen 3D NAND by Micron continues to use a CMOS-under-array design, but with Replacement Gate (RG) Technology instead of Floating Gate, which Micron and the erstwhile IMFlash Technology had been using for years. Micron is currently mass-producing 96-layer 3D NAND flash, and TLC remains the prominent data-storage physical layer despite the advent of QLC (4 bits per cell).

Micron comenta que aquest NAND 3D de quarta generació de 128 capes serà un punt d'interès restringit a algunes poques aplicacions i pot no veure el tipus d'adopció com els seus xips actuals de 96 capes. L’empresa sembla estar més centrada en la seva evolució, possiblement la 5a generació 3D NAND, que s’espera que aporti guanys tangibles de cost per bit per a l’empresa, ja que passa a un nou node de fabricació de silici i implementa tecnologies encara més noves. RG 'Vam aconseguir els primers matrius per produir una reixa de substitució o' RG 'per a un resum. Aquesta fita redueix encara més el risc de la nostra transició d’RG. Com a recordatori, el primer node RG serà de 128 capes i s’utilitzarà per a un conjunt selecte de productes. No esperem que RG aporti reduccions significatives de costos fins al pròxim exercici 2021 quan el nostre node RG de segona generació es desplegui àmpliament. En conseqüència, esperem reduccions mínimes de costos en NAND durant l'exercici 2020. El nostre enfocament de desplegament de producció RG optimitzarà el ROI de les nostres inversions de capital NAND ', va dir Sanjay Mehrotra, conseller delegat i president de Micron.
Source: AnandTech